Thẻ nhớ dòng dữ liệu Apple, aps217

Comment=Game bànCommentIt is a special chip IC for data line to account Apple lightning giao diện Apple, which can support the data truyền và sạc function of Apple lightning giao diện.Cao lục:1.5V ~6.

Comment=Game bànComment

It is a special chip IC for data line to account Apple lightning giao diện Apple, which can support the data truyền và sạc function of Apple lightning giao diện.

Cao lục:

1.5V ~6.5V.

2. Được xây dựng bằng kính Pha lê 4M2, độ chính xác 177; 5=.

Ba. Trợ lý cao, mạch đơn giản và một vài thành phần ngoại vi.

4. Độ ổn định cao và độ sánh bền vững.

5. Hoàn hảo hỗ trợ sự đồng bộ dữ liệu cho iTunes và nạp ổn định dữ liệu.

6. Sự hỗ trợ hoàn hảo cho bộ sạc pin trong nhà, và bộ sạc điện di động.

7. Phần mềm bảo vệ mạch ngắn gắn vào sẽ tự động ngắt kết xuất khi bộ ngắt kết nối.

8. được cấu tạo với hàm phản tác dụng.

9. con chip có điện trường cao, nó có thể chịu được điện thế cỡ 20V với mạch ngoại biên, và con chip sẽ không bị hư hại do điện cao.

Mười. Năm chức năng phòng ngừa: hệ thống chạy ngắn, kết nối ngược, chống tăng tốc, chống tăng tốc, chống sạc nhanh điện cao.

11. Nó có thể được thử nghiệm bởi Thiết bị Apple ATP (Hệ thống thí nghiệm phụ tùng).

Cám ơn. Cám ơn.

Năng lượng:

1. Dây dữ liệu sấm sét Apple

2. Apple Android loại C một kéo ba sợi cáp dữ liệu

3. Bộ nạp tia sét

4. Chú thích tia sáng

Năm. Nguồn năng lượng chống trái cây, nguồn năng lượng di động của táo.

KCharselect unicode block name

1. Hỗ trợ một loạt các giao diện ánh sáng như Apple iPhone, iPad và iPod.

2. Giao diện ánh sáng hỗ trợ tất cả các phụ kiện Apple.

Ba. Hỗ trợ tất cả các phiên bản của chế độ Apple IOS.

5 12299; sơ đồ khối hàm trong con chip


APS0217-01.jpg

六、封装及引脚定义功能描述

1、封装及引脚定义

APS0217-02.jpg

APS0217,SOT23-6L

2、引脚定义描述

序号

名称

类型

功能描述

1

Data

I/O

苹果Lightning通讯协议握手信号。

2

GND

P

电源负极地。

3

VDD

P

芯片内部电源,需接0.1~1uF电容。

4

VIN

P

电源输入脚。

5

Vout

O

芯片内部5V(25mA)电压输出。

6

Gate

O

PMOS控制输出端。

七、电气参数

1、绝对最大值(所有电压以GND为参考)

项目

符号

单位

供给电压

VIN

-0.3~6.5

V

输入/输出电压

VI/VO

-0.5~VIN+0.5

V

正向击穿电压

BVD

10

V

工作环境温度范围

Topr

-20~70

储藏温度范围

Tstg

-40~125

人体模型(HBM)

ESD

4

KV

EFT

EFT

4

KV

2、电气特性(除非特别说明,VDD=5.0V,GND=0V,Ta=25℃)

参数

符号

条件

最小值

典型值

最大值

单位

工作电压

VDD

1.5

5

6.5

V

工作电流

IDD

无负载状态下

900

uA

内置振荡频率

Fosc

5V

3.8

4.0

4.2

MHz

八、应用参考电路原理图

1、防倒流电路图

APS0217-03.jpg

2、五防电路图(可耐压20V)

五防:防短路、防反接、防浪涌、防倒电流、防快充适配器高电压。

APS0217-04.jpg

九、封装信息(Packaging)

SOT23-6L

SOT23-6L-01.jpg

Symbols

Dimension In MM


Symbols

Dimension In MM

Min

Nom

Max

Min

Nom

Max

A

1.45

e1

1.90 BSC

A1

0.00

0.15

L

0.30

0.45

0.60

A2

0.90

1.15

1.30

L1

0.60 REF

b

0.22

0.38

L2

0.25 BSC

c

0.08

0.22

R

0.10

D

2.90 BSC

R1

0.10

0.25

E

2.80 BSC

θ

E1

1.60 BSC

θ1

10°

15°

e

0.95 BSC





十、注意